led大功率灯珠LED芯片有哪些技术问题？LED芯片一种固态的半导体器件，LED的心脏是一个半导体的晶片，晶片的一端附在一个支架上，uvc led批发，一端是负极，另一端连接电源的正极，使整个晶片被环氧树脂封装起来。
LED芯片尤其是大功率 LED 芯片，面临的主要技术难点主要是以下几个方面： 1、发光效率低 虽然各厂家量产的封装后的白光 LED 出光效率都达到 100lm/w 以上，但是相比较于小尺寸的 LED 芯片，其出光效率依然很低。
大尺寸的 LED 芯片由于尺寸较大，当光线在器件内部传播时，光线通过的路程要比小尺寸的芯片经过的路程长，导致器件材料对光线的吸收概率较大，大量的光线被限制在器件内部无法出射，导致出光效率较低。
2、电流扩散不均匀 对于大功率 LED 芯片而言，需要大的电流驱动（一般为 350mA），为了得到均匀的电流扩散，需设计合理的电极结构以使得电流在 P 型层面得到均匀分布，大功率 LED 芯片由于芯片尺寸较大，同时 P 型层的电流很难在 P 型层面得到均匀扩散导致电流积聚在电极下方，造成电流拥挤效应。
由于电流积聚效应，即电流主要集中在电极正下方区域，横向扩展比较小，电流分布很不均匀，导致局部电流密度过大。
LED灯珠应是容、感性负载的问题： 其实两者都不是，LED灯珠就是一个二级管，它需要一个正向的导通电压就能工作，一般是2-3.5V，浙江uvc led，此外，uvc led灯珠哪家好，电流大小可以控制LED灯珠的亮度。
也就说LED灯珠只是把电能转换为了光能。
与LED灯珠光衰大的原因： 小功率LED的衰减有四个方面的原因： （1）铁支架导热不良。
（2）环氧树脂黄化。
（3）芯片与支架接触不够紧密。
（4）芯片衰减大。
如果是白光，还有荧光粉衰减的问题。
led直插灯珠分析LED驱动有哪些原理？正向压降(VF)和正向电流的(IF)关系曲线，由曲线可知，uvc led灯珠厂家，当正向电压超过某个阈值(约2V)，即通常所说的导通电压之后，可近似认为，IF与VF成正比。
见表是当前主要超高亮LED的电气特性。
由表可知，当前超高亮LED的高IF可达1A，而VF通常为2～4V。
由于LED的光特性通常都描述为电流的函数，而不是电压的函数，光通量(φV)与IF的关系曲线，因此，采用恒流源驱动可以更好地控制亮度。
此外，LED的正向压降变化范围比较大(大可达1V以上)，而由上图中的VF-IF曲线可知，VF的微小变化会引起较大的，IF变化，从而引起亮度的较大变化。
LED的温度与光通量(φV)关系曲线，可知光通量与温度成反比，85℃时的光通量是25℃时的一半，而一40℃时光输出是25℃时的1．8倍。
温度的变化对LED的波长也有一定的影响，因此，良好的散热是LED保持恒定亮度的保证。
所以，采用恒压源驱动不能保证LED亮度的一致性，并且影响LED的可靠性、寿命和光衰。
因此，超高亮LED通常采用恒流源驱动。
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