led大功率灯珠的LED芯片有哪些技术难题？尤其是大功率 LED 芯片，面临的主要技术难点主要是以下几个方面： 1、发光效率低 虽然各厂家量产的封装后的白光 LED 出光效率都达到 100lm/w 以上，但是相比较于小尺寸的 LED 芯片，其出光效率依然很低。
大尺寸的 LED 芯片由于尺寸较大，当光线在器件内部传播时，光线通过的路程要比小尺寸的芯片经过的路程长，导致器件材料对光线的吸收概率较大，大量的光线被限制在器件内部无法出射，导致出光效率较低。
2、电流扩散不均匀 对于大功率 LED 芯片而言，需要大的电流驱动（一般为 350mA），为了得到均匀的电流扩散，深紫外led芯片，需设计合理的电极结构以使得电流在 P 型层面得到均匀分布，大功率 LED 芯片由于芯片尺寸较大，同时 P 型层的电流很难在 P 型层面得到均匀扩散导致电流积聚在电极下方，造成电流拥挤效应。
由于电流积聚效应，即电流主要集中在电极正下方区域，横向扩展比较小，湛江深紫外led，电流分布很不均匀，导致局部电流密度过大。
3、光电特性不稳定 由于大功率 LED 芯片器件出光效率底下，大量光线被器件内部吸收，这些被吸收的光线在器件内部转换成热能，造成 LED 芯片结温的升高，结温的升高不但会造成光衰严，严重影响了 LED 芯片的寿命，同时温度的升高会导致芯片的蓝光波峰向长波长方向偏移（即红移），造成芯片的发光波长和荧光粉的激发波长不匹配，深紫外led灯珠，也会造成显色性的降低。
4、产业化研究光效远低于实验室研发水平 国际上主流的 LED 芯片厂商，虽然实验室研发已到达较高的水平，但是产业化的研究水平依然底下，造成其主要的原因是产业化不但要考虑到成本的需求同时还要兼顾生产工艺的复杂程度以及芯片良率的问题。

区别LED灯珠的方法如下：　　1.看亮度，即在350mA的驱动电流，电压在3.0-3.6V之间的时候的亮度是多少，越高越好。
　　2. 看分BIN，即色温分区和电压分BIN，越细越好。
　　3. 看衰减，需要做老化测试，光衰越小越好。
　　4. 看实际的应用，如比：市场有合适且价格便宜的透镜、铝基板，就好，透镜、铝基板需要开模就会投入大一些，1W大功率，深紫外led灯，电流：350ma，电压：2.8-4.0V 亮度：80-130LM 色温：K。

led大功率灯珠LED芯片如何选择衬底？对于制作LED芯片来说，衬底材料的选用是要考虑的问题。
应该采用哪种合适的衬底，需要根据设备和LED器件的要求进行选择。
三种衬底材料：蓝宝石（Al2O3）、硅（Si）、碳化硅（SiC）。
蓝宝石的优点： 1、生产技术成熟、器件质量较好 ; 2、稳定性很好，能够运用在高温生长过程中; 3、机械强度高，易于处理和清洗。
蓝宝石的不足： 1、晶格失配和热应力失配，会在外延层中产生大量缺陷； 2、蓝宝石是一种绝缘体，在上表面制作两个电极，造成了有效发光面积减少； 3、增加了光刻、蚀刻工艺过程，制作成本高。
硅是热的良导体，所以器件的导热性能可以明显改善，从而延长了器件的寿命。
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